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J-GLOBAL ID：201702264644390891   整理番号：17A1551332

水素終端n-Si(111)/電解質界面の電子的性質:サッカリン添加の影響【Powered by NICT】

Electronic properties of hydrogen terminated n-Si (111)/electrolyte interface: Effect of saccharin addition

著者 (5件)： Chenna A. (Laboratoire de Physique et Chimie des Materiaux (LPCM), Universite Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou (UMMTO), BP No. 17 RP, Tizi-Ouzou 15 000, Algeria) ,  Hamadou L. (Laboratoire de Physique et Chimie des Materiaux (LPCM), Universite Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou (UMMTO), BP No. 17 RP, Tizi-Ouzou 15 000, Algeria) ,  Benbrahim N. (Laboratoire de Physique et Chimie des Materiaux (LPCM), Universite Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou (UMMTO), BP No. 17 RP, Tizi-Ouzou 15 000, Algeria) ,  Kadri A. (Laboratoire de Physique et Chimie des Materiaux (LPCM), Universite Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou (UMMTO), BP No. 17 RP, Tizi-Ouzou 15 000, Algeria) ,  Boudinar S. (Laboratoire de Physique et Chimie des Materiaux (LPCM), Universite Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou (UMMTO), BP No. 17 RP, Tizi-Ouzou 15 000, Algeria)
資料名： Journal of Electroanalytical Chemistry  (Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻： 802  ページ： 118-122  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0037A  ISSN： 1572-6657  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,電気化学インピーダンス分光法(EIS)は,サッカリン(SAC)は,水素終端Si(111)(n-Si(111)-H)/電解質界面の電子的性質に影響するかを決定するために用いた。n-Si(111)-H表面上の表面状態エネルギー準位の存在は表面状態キャパシタンス測定により実証した。n-Si(111)-H上のSACの吸収は,表面状態分布と密度における観察された変化により証明された。ほぼ 0.3Vと0.11V対SCEに位置する二単一エネルギー状態準位はSACを含む浴で見られた。第一表面状態レベルは表面下領域への水素の浸透に関連していたが,第二の表面状態レベルは酸化中間体と関連していることが期待される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 中間体 ,  *電解質 ,  エネルギー準位 ,  *水素 ,  *界面 ,  酸化
準シソーラス用語： エネルギー状態 ,  状態分布 ,  キャパシタンス測定 ,  電気化学インピーダンス分光法 ,  *水素終端 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： EIS ,  n-Si(111)-H ,  サッカリン ,  Mott-Schottky ,  電子的性質 ,  表面状態

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素終端 ,  Si ,  電解質 ,  界面 ,  電子 ,  性質 ,  サッカリン