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J-GLOBAL ID：201702264707856572   整理番号：17A1269406

Gaussドーピングプロファイルを持つ超薄ボディ超薄ボックスSOI MOSFETのコンパクトなサブしきい値スイングモデル【Powered by NICT】

A compact subthreshold swing model of ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with Gaussian doping profile

著者 (7件)： Wei Sufen (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi 710049, China) ,  Zhang Guohe (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi 710049, China) ,  Liu Jing (School of Information and Engineering, Jimei University, Fujian 361021, China) ,  Huang Huixiang (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi 710049, China) ,  Geng Li (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi 710049, China) ,  Shao Zhibiao (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi 710049, China) ,  Yang Cheng-Fu (Department of Chemical and Materials Engineering, National University of Kaohsiung, No. 700, Kaohsiung University Rd., Nan-Tzu District, 811, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICASI  ページ： 1293-1296  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直Gaussドーピングプロファイルを持つ超薄ボディ超薄ボックスSOI MOSFETのための提案した二次元(2D)物理学に基づくコンパクトなサブしきい値スイングモデル。不均一ドーピングプロファイルに影響されるチャネルポテンシャルに基づいて,サブしきい値スイングモデルは有効伝導経路効果(ECPE)の概念を用いて導出した。モデルの出力は,Synopsys技術コンピュータ支援設計(TCAD)を用いた数値シミュレーション結果と良く一致した。モデルは,サブスレッショルド領域で動作する不均一ドーピングプロファイルをもつナノスケール超薄ボディ超薄ボックスSOI MOSFETのための有用な物理的洞察を提供した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデル ,  CAD【計算機】 ,  シミュレーション ,  二次元 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： ナノスケール ,  数値シミュレーション ,  TCAD ,  *サブ閾値 ,  *ドーピングプロファイル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドーピングプロファイル ,  ボディ ,  ボックス ,  SOI ,  MOSFET ,  サブしきい値 ,  スイング ,  モデル