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J-GLOBAL ID：201702264852225149   整理番号：17A0907949

マツ針葉の炭素熱法によるp型6H-SiCナノワイヤの合成【Powered by NICT】

Synthesis of p-type 6H-SiC nanowires by pine needle carbothermal method

著者 (8件)： Li Shanying (School of Material and Chemical Engineering, Henan University of Urban Construction, Pingdingshan 4676036, Henan, People’s Republic of China) ,  Li Hui (School of Material and Chemical Engineering, Henan University of Urban Construction, Pingdingshan 4676036, Henan, People’s Republic of China) ,  Su Qing (School of Material and Chemical Engineering, Henan University of Urban Construction, Pingdingshan 4676036, Henan, People’s Republic of China) ,  Liu Xiangyun (School of Material and Chemical Engineering, Henan University of Urban Construction, Pingdingshan 4676036, Henan, People’s Republic of China) ,  Zhao Haipeng (School of Material and Chemical Engineering, Henan University of Urban Construction, Pingdingshan 4676036, Henan, People’s Republic of China) ,  Ding Mingjie (School of Material and Chemical Engineering, Henan University of Urban Construction, Pingdingshan 4676036, Henan, People’s Republic of China) ,  Liu Ke (School of Material and Chemical Engineering, Henan University of Urban Construction, Pingdingshan 4676036, Henan, People’s Republic of China) ,  Nie Wendong (School of Material and Chemical Engineering, Henan University of Urban Construction, Pingdingshan 4676036, Henan, People’s Republic of China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 199  ページ： 113-115  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiCナノワイヤはマツ針葉の炭素熱法により合成した,ナノ形態と結晶構造キャラクタリゼーションは,ナノワイヤがウルツ鉱構造を持つことを示し,直径は[102]の結晶成長方向をもつ約100~200nmであり,長さは10μmを超えた。ナノ電界効果トランジスタは,個々のナノワイヤに基づいて構成される,電気的研究は,合成したままの6H-SiCナノワイヤはp型伝導を示すことを示し,移動度は5.7×10~8cm~2V~ 1S~ 1であり,キャリア濃度は5.2×10~18cm~ 3である。p型伝導率は核形成と成長過程で化学量論組成の偏差に起因。合成されたままの6H-SiC NWはナノエレクトロニクス応用のための優れた化合物半導体材料である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  結晶成長 ,  結晶構造 ,  FET【トランジスタ】 ,  *炭素 ,  核形成 ,  キャラクタリゼーション ,  化合物半導体 ,  移動度 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス ,  化学量論組成 ,  ウルツ鉱型構造 ,  *6H-SiC ,  *針葉 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 電気的性質 ,  Semiconductors ,  ナノ結晶材料

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： マツ ,  針葉 ,  炭素 ,  6H-SiC ,  ナノワイヤ