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J-GLOBAL ID：201702264854063981   整理番号：17A0699324

La_0 7Sr_0 3MnO_3/SiO_2/Si基板上の歪んだマルチフェロイックBiFeO_3薄膜における室温強磁性と強誘電性【Powered by NICT】

Room temperature ferromagnetism and ferroelectricity in strained multiferroic BiFeO₃ thin films on La_0.7Sr_0.3MnO₃/SiO₂/Si substrates

著者 (11件)： Ramirez-Camacho M.C. (Posgrado en Fisica de Materiales, Centro de Investigacion Cientifica y de Educacion Superior de Ensenada, Carretera Tijuana-Ensenada 3918, Zona Playitas, 22860 Ensenada, Baja California, Mexico) ,  Ramirez-Camacho M.C. (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, AP 14, Ensenada 22860, Baja California, Mexico) ,  Sanchez-Valdes C.F. (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, AP 14, Ensenada 22860, Baja California, Mexico) ,  Gervacio-Arciniega J.J. (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, AP 14, Ensenada 22860, Baja California, Mexico) ,  Font R. (Facultad de Fisica, Universidad de La Habana, San Lazaro y L, 10400 La Habana, Cuba) ,  Ostos C. (Instituto de Quimica, Universidad de Antioquia, UdeA, Calle 70 No. 52-21, Medellin, Colombia) ,  Bueno-Baques D. (Center for Advanced Technologies and Optical Materials, Dept. of Physics and Energy Science, University of Colorado, Colorado Springs, CO 80918, USA) ,  Curiel M. (Instituto de Ingenieria, Universidad Autonoma de Baja California, Mexicali 21280, Baja California, Mexico) ,  Sanchez-Llamazares J.L. (Instituto Potosino de Investigacion Cientifica y Tecnologica A.C., Camino a la Presa San Jose 2055, Col. Lomas 4a, San Luis Potosi 78216, Mexico) ,  Siqueiros J.M. (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, AP 14, Ensenada 22860, Baja California, Mexico) ,  Raymond-Herrera O. (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, AP 14, Ensenada 22860, Baja California, Mexico)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 128  ページ： 451-464  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La_0 7Sr_0 3MnO_3/SiO_2/Si(100)(LSMO/SOS)基板上にスパッタリング法を用いて成長させた歪んだBiFeO_3(BFO)薄膜における室温での強誘電性秩序と共存する新しい強磁性状態を報告した。40nm LSMO層上に異なる厚さ(t_BFO=15 50 70nm,120nm,140nm)をもつBFO膜の性質を調べた。[012]面外の高度に集合組織化したBFO/LSMOスタックは菱面体晶構造で成長した。LSMO層は,SiO_2表面の制約により誘起された強磁性単一ドメインナノ領域により構成され,本質的にナノ構造化した2.5Kにおける~1100OeのT C~200Kと高い保磁力(H,C)であった。BFO膜は,LSMO上にエピタキシャルナノ構造成長し,~4nmの球状ナノ領域を示した。より厚い(t_BFO>70nm)BFO層は典型的な反強磁性挙動(より大きな体積分率)を示した。薄い膜(t_BFO<50nm)は50nmで15nmと~1830OeのためのT C>400K,H C~1600Oeを有する強磁性挙動を示した。はこのような強磁性挙動は,LSMOの強磁性Mn~3+O=Mn~3+/Mn~4+副格子を持つ超交換結合相互作用の結果としてBFO構造のFe~3+OFe~3+副格子の新しい磁気配置の確立に起因する,界面での強いハイブリダイゼーションにより誘導されることを提案した。全てのBFO層は優れた強誘電性と圧電特性(保磁力~740kV/cm,50nmのd_33=23午後/V;~200kV/cm,55午後/V140nm)を示し,厚さに依存して180°と109°DW構造を示した。このようなマルチフェロイック特性は,Si技術と統合した新しい磁気電子デバイスの可能性実現を予測した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ構造 ,  *強誘電性 ,  *ケイ素 ,  副格子 ,  三方晶系 ,  *薄膜 ,  界面 ,  保磁力 ,  スパッタリング ,  エピタクシー ,  *強磁性 ,  体積率 ,  集合組織 ,  磁気
準シソーラス用語： 交換結合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： マルチフェロイック ,  BFO/LSMO薄膜 ,  rfスパッタリング ,  層間交換結合 ,  超交換

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  マルチフェロイック ,  薄膜 ,  室温強磁性 ,  強誘電性