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J-GLOBAL ID：201702264912527806   整理番号：17A0976110

三核ラジカル架橋ランタニド単一分子磁石【Powered by NICT】

A Trinuclear Radical-Bridged Lanthanide Single-Molecule Magnet

著者 (6件)： Gould Colin A. (Department of Chemistry, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Darago Lucy E. (Department of Chemistry, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Gonzalez Miguel I. (Department of Chemistry, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Demir Selvan (Institut fuer Anorganische Chemie, Georg-August-Universitaet Gottingen, Tammannstrasse 4, 37077, Gottingen, Germany) ,  Long Jeffrey R. (Department of Chemistry, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Long Jeffrey R. (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of California, Berkeley and Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, 94720, USA)
資料名： Angewandte Chemie. International Edition  (Angewandte Chemie. International Edition)
巻： 56  号： 34  ページ： 10103-10107  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0127B  ISSN： 1433-7851  CODEN： ACIEAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三角形,有機ラジカル橋かけ錯体の集合Cp*_6Ln_3(μ_3HAN)(Cp*=ペンタメチルシクロペンタジエンイル;Ln=Gd,Tb,Dy;HAN=ヘキサアザトリナフチレン)は強還元条件でHANとCp*2ln(BPh_4)の反応により進行した。重要なことに,これらの錯体の磁化率測定から,HAN~3-ラジカル配位子を通して全三Ln~III中心の有効磁気結合を支持した。ac磁化率およびdc磁気緩和測定の両方を介してDy~III同族体の徹底研究は,磁化の遅い緩和を示す,U_eff=51cm~ 1の有効熱緩和障壁であった。Dy~III複合体における磁気結合した零場3.5Kまでで開いている磁気ヒステリシス測定とヒステリシスループにおける3.0Kまでの温度で大きな残留磁化を可能にするCopyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 磁性 ,  配位子 ,  *ラジカル ,  *希土類元素錯体 ,  磁石 ,  *磁気的性質 ,  ガドリニウム錯体 ,  テルビウム錯体 ,  ジスプロシウム錯体
準シソーラス用語： *ランタノイド錯体 ,  *単分子磁石 ,  分子磁性

著者キーワード (5件)： シクロペンタジエニル配位子 ,  ランタニド ,  分子磁性 ,  非イノセント配位子 ,  radicals

分類 (2件)： 第3族元素の錯体  (CE01060J) ,  有機化合物の磁性  (BM06070A)

物質索引 (2件)： ペンタメチルシクロペンタジエン ,  ヘキサアザトリナフチレン

タイトルに関連する用語 (5件)： 核 ,  ラジカル ,  架橋 ,  ランタニド ,  単一分子磁石