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J-GLOBAL ID：201702264976807518   整理番号：17A0884239

マイカ上での三元トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Se2D結晶のエピタキシャル成長【Powered by NICT】

Epitaxial Growth of Ternary Topological Insulator Bi₂Te₂Se 2D Crystals on Mica

著者 (14件)： Liu Yujing (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Tang Min (State Key Laboratory of Silicon Materials and Center of Electron Microscopy, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Meng Mengmeng (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Wang Mingzhan (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Wu Jinxiong (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Yin Jianbo (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Zhou Yubing (Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Guo Yunfan (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Tan Congwei (Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Dang Wenhui (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Huang Shaoyun (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Xu H. Q. (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Wang Yong (State Key Laboratory of Silicon Materials and Center of Electron Microscopy, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Peng Hailin (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 18  ページ： ROMBUNNO.201603572  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三元トポロジカル絶縁体(TI)Bi_2Te_2Seのナノ構造は,原理的に,トポロジー的に非自明な表面状態の発現に有利な,そのバルク結晶対応物と比較して有意に増強された表面対体積比によるものであった。van der Waalsエピタクシー法による雲母上の2D Bi_2Te_2Se結晶の合成を検討し,系統的に合成プロセス中の成長挙動を調べた。それに応じて,50μmまでの大きなドメインサイズを持つ2D Bi_2Te_2Se結晶と厚さ2nmまでが得られた。顕著な弱い反局在効果を,2Kにおいて2D Bi_2Te_2Se結晶で明瞭に観測した。2D三元Bi_2Te_2Se結晶のエピタキシャル成長方法をTIの微妙な表面状態の発現増強に向けた材料工学を,次世代スピントロニクスにおける潜在的応用を促進する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 材料科学 ,  *エピタクシー ,  体積率 ,  *雲母 ,  スピントロニクス ,  ナノ構造 ,  *結晶 ,  位相幾何学 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 反局在 ,  ドメインサイズ ,  バルク結晶 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 2次元結晶 ,  ビスマスtelluroselenide ,  エピタキシャル成長 ,  三元トポロジカル絶縁体

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： マイカ ,  トポロジカル絶縁体 ,  結晶 ,  エピタキシャル成長