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J-GLOBAL ID：201702265011964904   整理番号：17A1344638

Sc_2CO_2/MoS_2極性-非極性van der Waalsヘテロ接合の電子構造の調整:内部と外部電場の相互作用【Powered by NICT】

Tuning electronic structures of Sc₂CO₂/MoS₂ polar-nonpolar van der Waals heterojunctions: interplay of internal and external electric fields

著者 (2件)： Li Longhua (School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Shi Weidong
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 32  ページ： 8128-8134  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子調節における二次元極性物質の役割は垂直van der Waals(vdW)ヘテロ接合における最近実証された。極性-非極性ヘテロ接合のバンドアラインメントに及ぼす極性の影響を調べたという事実にもかかわらず,内部電場と外部電場の相互作用は,このような極性-非極性ヘテロ接合では知られていない。この密度では汎関数理論(DFT)研究は,代表的な極性-非極性ヘテロ構造としてSc_2CO_2/MoS_2ヘテロ接合を選んだ;外部電場に及ぼす価電子帯最大(VBM)は,伝導帯の底(CBM),スタガードギャップの依存性を詳細に計算した。電場にバンド端の積層順序および非対称応答を明らかにした。さらに,VBM(CBM)は特定の積層配列における外部電場により変調されることを示した。最後に,界面とバンド端シフトでの電荷変化の間に有意な相関を示した。著者らの結果は,極性-非極性vdWヘテロ接合の電子的性質に及ぼす内部と外部電場の積層配列と相互作用の有効性のための強い証拠を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *電場 ,  二次元 ,  界面 ,  *電子構造 ,  *極性 ,  電荷 ,  価電子バンド ,  *非極性 ,  伝導バンド ,  *相互作用 ,  非対称性
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  内部電場 ,  *外部電場 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  その他の液晶  (BK03030H) ,  分子間相互作用  (BH07020P) ,  複素環化合物一般  (CF07010Z) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非極性 ,  VAN ,  ヘテロ接合 ,  電子構造 ,  外部電場 ,  相互作用