地球上に豊富にある窒化物半導体ZnSiN<sub>2</sub>とZnGeN<sub>2</sub>のアンモノサーマル合成とその場X線イメージングによる溶解モニタリング【Powered by NICT】

Haeusler Jonas; Schimmel Saskia; Wellmann Peter; Schnick Wolfgang

文献

J-GLOBAL ID：201702265100946925 整理番号：17A1134835

地球上に豊富にある窒化物半導体ZnSiN₂とZnGeN₂のアンモノサーマル合成とその場X線イメージングによる溶解モニタリング【Powered by NICT】

Ammonothermal Synthesis of Earth-Abundant Nitride Semiconductors ZnSiN₂ and ZnGeN₂ and Dissolution Monitoring by In Situ X-ray Imaging

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巻： 23 号： 50 ページ： 12275-12282 発行年： 2017年
JST資料番号： W0744A ISSN： 0947-6539 CODEN： CEUJED 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

本論文では,溶液から半導体ZnSiN_2とZnGeN_2の初めての合成を溶媒とKNH_2としてアンモニア塩基鉱化剤として超臨界アンモニアと報告されている。反応はニッケル基超合金で作られた特注の高圧オートクレーブ中で行った。窒化物を粉末X線回折で特性化し,それらの結晶構造をRietveld法により精密化した。ZnSiN_2(=5.24637(4),6.28025(5),5.02228(4)Å,Z=4,=4,R_wp=0.0556)と同形ZnGeN_2(=5.46677(10),6.44640(12),5.19080(10)Å,Z=4,=4,R_wp=0.0494)は斜方晶系空間群Pna2_1(no.33)に結晶化する。窒化物の形態と元素組成を電子顕微鏡とエネルギー分散型X線分光法(EDX)により検討した。直径7μmまでの明確に定義された単結晶は230MPaまで870Kと1070Kと圧力の間の温度でのアンモノ熱合成により成長させた。光学特性を拡散反射測定を用いて解析した。ZnSiN_2とZnGeN_2のバンドギャップは室温で3.7eVと3.2eVであった。in situ X線測定は,ZnGeN_2の結晶化機構を調べ例示した。570と670Kの間のアンモニア塩基超臨界アンモニア中での溶解したアモノサーマル条件下で三元窒化物の結晶成長のための非常に有望なが観察された。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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塩 , 半導体の結晶成長

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地球上に豊富にある窒化物半導体ZnSiN2とZnGeN2のアンモノサーマル合成とその場X線イメージングによる溶解モニタリング【Powered by NICT】

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