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J-GLOBAL ID：201702265114864596   整理番号：17A1995691

低コストGaNウエハの実現に向けて~ハロゲンフリー気相成長法による高速・高収率成長~

An approach to low-cost GaN wafers: High-rate high-yield GaN growth by halogen-free vapor phase epitaxy

著者 (4件)： 中村大輔 (豊田中研) ,  木村大至 (豊田中研) ,  堀渕嘉代 (豊田中研) ,  片岡恵太 (豊田中研)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 46th  ページ： ROMBUNNO.27a-C01  発行年： 2017年 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ハロゲン化合物 ,  環境保全 ,  *気相成長 ,  *窒化ガリウム ,  *ウエハ【IC】 ,  半導体薄膜 ,  量子収量 ,  高速度 ,  金属蒸気 ,  ガリウム ,  アンモニア ,  品質
準シソーラス用語： ハロゲンフリー ,  結晶品質

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  ウエハ ,  ハロゲンフリー ,  気相成長 ,  収率 ,  成長