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J-GLOBAL ID：201702265137891871   整理番号：17A1625070

Sentaurus TCADのためのシリコンバルク放射線損傷モデルの開発【Powered by NICT】

Development of a silicon bulk radiation damage model for Sentaurus TCAD

著者 (14件)： Folkestad Å. (European Organisation for Nuclear Research (CERN), Geneva, Switzerland) ,  Akiba K. (Universidade Federal do Rio de Janeiro (UFRJ), Rio de Janeiro, Brazil) ,  van Beuzekom M. (Nikhef National Institute for Subatomic Physics, Amsterdam, The Netherlands) ,  Buchanan E. (H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, United Kingdom) ,  Collins P. (European Organisation for Nuclear Research (CERN), Geneva, Switzerland) ,  Dall’Occo E. (Nikhef National Institute for Subatomic Physics, Amsterdam, The Netherlands) ,  Di Canto A. (European Organisation for Nuclear Research (CERN), Geneva, Switzerland) ,  Evans T. (Department of Physics, University of Oxford, Oxford, United Kingdom) ,  Franco Lima V. (Oliver Lodge Laboratory, University of Liverpool, Liverpool, United Kingdom) ,  Garcia Pardinas J. (Universidade de Santiago de Compostela (USC), Santiago de Compostela, Spain) ,  Schindler H. (European Organisation for Nuclear Research (CERN), Geneva, Switzerland) ,  Vicente M. (Universidade Federal do Rio de Janeiro (UFRJ), Rio de Janeiro, Brazil) ,  Vieites Diaz M. (Universidade de Santiago de Compostela (USC), Santiago de Compostela, Spain) ,  Williams M. (European Organisation for Nuclear Research (CERN), Geneva, Switzerland)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 874  ページ： 94-102  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Synopsys Sentaurus TCADにおける使用のためのp型シリコンのための新しいバルク照射損傷モデルを提示した。モデルは漏れ電流と電荷収集効率の電圧依存性の実験とシミュレーション間の一致を提供することを示し,8×10151MeV n eq/cm2までのフルエンスである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： フルエンス ,  シミュレーション ,  照射損傷 ,  漏れ電流 ,  *放射線障害 ,  電圧依存性
準シソーラス用語： 電荷収集効率 ,  *TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリコンセンサ ,  シリコンピクセル検出器 ,  放射線損傷 ,  TCAD ,  デバイスシミュレーション

分類 (3件)： 素粒子・核物理実験技術一般  (BE01010F) ,  宇宙線・天体物理観測技術  (DB01000N) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (6件)： TCAD ,  シリコン ,  バルク ,  放射線損傷 ,  モデル ,  開発