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J-GLOBAL ID：201702265148409434   整理番号：17A1725755

高ビットレートディジタル光リンクのための2VCSEL構造における熱性能の比較研究【Powered by NICT】

A comparative study of thermal performance in two VCSEL structures for high bit rate digital optical links

著者 (2件)： Krishna K. Murali (Department of Electronics Engineering, Madras Institute of Technology, Anna University, Chennai, India) ,  Madhan M. Ganesh (Department of Electronics Engineering, Madras Institute of Technology, Anna University, Chennai, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICSCN  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs-GaAsとGaAs-AlGaAsに基づく二垂直共振器形面発光レーザ(VCSEL)ダイオード構造を熱分析に対して考慮され,850nmディジタル光リンクへのそれらの影響を調べた。全体リンク性能に及ぼすマルチモードファイバ(MMF)リンク長とVCSEL温度の影響を1.25Gbps伝送での両ケースに対して比較した。25°Cと40°CでのInGaAs-GaAsベースVCSELとGaAs-AlGaAsベースVCSELのための2.02×10~ 5と1.48×10~ 5と2.15×10~ 5,1.55×10~ 5のビット誤り率(BER)は繊維長1kmで予測した。両構造で最大3dB帯域幅に関係する最適バイアス条件も決定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *熱特性 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  垂直共振器形面発光レーザ ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ダイオード ,  帯域幅 ,  多モードファイバ ,  バイアス ,  *ディジタル方式 ,  熱分析 ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： ビット誤り率 ,  *光リンク , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高ビットレート ,  ディジタル ,  光リンク ,  熱性能 ,  研究