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J-GLOBAL ID：201702265318860892   整理番号：17A0509828

個々のビスマスナノワイヤにおける電流磁気効果に関する実験および理論的見積もり

Experimental and Theoretical Evaluations of the Galvanomagnetic Effect in an Individual Bismuth Nanowire

著者 (4件)： MURATA Masayuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YAMAMOTO Atsushi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA Yasuhiro (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  KOMINE Takashi (Ibaraki Univ., Ibaraki, JPN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 1  ページ： 110-119  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 円筒形の石英テンプレート(直径は0.53 mm)中に直径が700 nmのビスマスナノワイヤを封入し,イオンビーム処理によりナノワイヤへカーボンフィルムが接するようにして電極とした。このナノワイヤに対して電気的な測定により,Hall抵抗の磁場依存性を調べた。電子とホールのHall移動度の温度依存性を,測定したHall係数と磁気抵抗値に基づいて測定した。このビスマスナノワイヤ中のキャリア移動度はバルクの場合より低く,計算モデルと一致して低温で平坦になる。これはナノワイヤの小さな直径での平均自由経路の制限に起因する。

シソーラス用語： *ビスマス ,  *ナノワイヤ ,  *電流磁気効果 ,  石英 ,  イオンビーム ,  電気抵抗 ,  依存性 ,  Hall移動度 ,  温度依存性 ,  磁気抵抗 ,  キャリア移動度 ,  平均自由行程
準シソーラス用語： Hall抵抗 ,  磁場依存性 ,  キャリア平均自由行程

分類 (2件)： 電気的性質  (WB02010Y) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (6件)： ビスマス ,  ナノワイヤ ,  電流磁気効果 ,  実験 ,  理論 ,  見積もり