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J-GLOBAL ID：201702265342504052   整理番号：17A0549659

非SiO₂誘電体界面における双極子層形成の機会-MgO/Al₂O₃

Opportunity for dipole layer formation at an non-SiO₂ dielectric interface-MgO/Al₂O₃

著者 (2件)： FEI Jiayang (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KITA Koji (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-413-12  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  二酸化ケイ素 ,  *薄膜コンデンサ ,  *酸化マグネシウム ,  電圧 ,  焼なまし ,  計算機シミュレーション ,  界面 ,  酸化アルミニウム
準シソーラス用語： *MOSコンデンサ ,  フラットバンド電圧 ,  高k誘電体 ,  分子動力学シミュレーション

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiO2 ,  誘電体 ,  界面 ,  双極子 ,  層形成 ,  機会 ,  MgO ,  Al2O3