モノ様結晶シリコンウエハにおける欠陥に関係した放射再結合【Powered by NICT】

Olsen E.; Bergan S.; Mehl T.; Burud I.; Ekstrom K. E.; Di Sabatino M.

文献

J-GLOBAL ID：201702265409188161 整理番号：17A1244796

モノ様結晶シリコンウエハにおける欠陥に関係した放射再結合【Powered by NICT】

Defect related radiative recombination in mono-like crystalline silicon wafers

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資料名：
巻： 214 号： 8 ページ： null 発行年： 2017年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

冷却モノ様Siウエハのバンドギャップにおけるトラップによる放射再結合から生じるサブバンドギャップ欠陥関連光ルミネセンス(DRL)信号の研究を報告した。スペクトル分解光ルミネセンス(SPL)と多変量曲線分解(MCR)を組み合わせて用い,パイロット規模モノ様Siインゴット中の異なる高さから切り出したウエハのサブバンドギャップ光ルミネセンス(PL)発光の挙動を研究した。DRL信号が主要なモノ様体では見られなかった。過度に転位した地域と相関する強い欠陥関係サブバンドギャップ発光,いくつかの種子接合の直接が分かった。DRL信号は種子の接合における小角度ミスアラインメントと軸の数との相関を示した。信号は通常D1(0.80 eV)インゴットの高さとともに減少することを標識した。酸素にこの信号を関連づける機構を提案した。信号D3(0.94 eV)とD4(1.00 eV)は共栽培されている,以前の研究を支持することが分かった,D2(0.87 eV)信号と同様に,それらの強さはインゴット高さと共に増加することが分かった。インゴット中の遷移金属不純物の含有量は高さと共に増加すると推定されるので,これはFeとD3とD4信号間の報告されたリンクだけでなく,D2および他の不純物の間の関連を支持する。多結晶材料と標識D07(0.70 eV)で以前に見出された排出は,寄生結晶中に記録された唯一のDRL信号として存在するのみ,るつぼ壁からの主要なモノ様インゴットに成長している。これはD1-D4信号に強く関係しているという一般的な考えと矛盾しており,常に転位に従った。中心エネルギー0.70eVのPL信号の全光ルミネセンススペクトル(右)及び分布(左)は,るつぼ壁からバルクモノ様Si結晶に成長する寄生結晶から放出される。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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半導体の格子欠陥

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