少数層の黒リンにおけるゲート調整可能な巨大Stark効果

LIU Yanpeng; QIU Zhizhan; CARVALHO Alexandra; BAO Yang; XU Hai; TAN Sherman J.R.; LIU Wei; CASTRO NETO A.H.; LOH Kian Ping; LU Jiong

文献

J-GLOBAL ID：201702265410921730 整理番号：17A0621007

少数層の黒リンにおけるゲート調整可能な巨大Stark効果

Gate-Tunable Giant Stark Effect in Few-Layer Black Phosphorus

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資料名：
巻： 17 号： 3 ページ： 1970-1977 発行年： 2017年03月
JST資料番号： W1332A ISSN： 1530-6984 CODEN： NALEFD 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

小数層黒リンデバイスについて低温STM研究を行って,静電ゲーティングにより誘導された黒リンフレーク中の巨大Stark効果を実証した。黒リンフレークを横切る外部垂直電場の適用は,電場強度の増加によるバンドギャップの単調な狭幅化をもたらす。0.1V/nmの垂直電場の適用により,バンドギャップの~35.5%(310から200meVへ)の顕著な減少を達成した。よって,少数層黒リンは,強い電場下で中間ギャップ半導体からバンド反転半導体に変換できることが期待される。また,dI/dVスペクトル(I=電流,V=電圧)において共鳴特性を観察した。これは,小数層黒リンにおける厚さ依存サブバンド構造に起因する。ゲート調整可能なStark効果は,少数層黒リンが遠および中赤外域で作動する電気-光学変調器として使用可能なことを意味する。

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電気光学効果,磁気光学効果

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