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J-GLOBAL ID：201702265417701045   整理番号：17A0664893

効率的な高分子太陽電池用の酸化モリブデン正孔輸送層を調製するための簡単な合成法【Powered by NICT】

A simple synthesis method to prepare a molybdenum oxide hole-transporting layer for efficient polymer solar cells

著者 (5件)： Li Yanping (School of Physics and Optoelectronics, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China. [e-mail]) ,  Yu Huangzhong ,  Huang Xinxin ,  Wu Zuping ,  Chen Mingdong
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 13  ページ： 7890-7900  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて超音波反応により調製した前駆体溶液として好ましい安定なペルオキソモリブデン酸オルガノゾルを用いた非晶質モリブデン酸化物(p MoO_3)を調製するための簡単な合成法を報告した。p MoO_3層の良く滑らかで緻密な表面形態は良好な光学的性質を持つ150°C熱処理と5.26eVの高い仕事関数(W_F)で得られた。アニーリング処理中にMoイオンの二種類の酸化状態はアニーリング温度を150°Cと200°Cに観測した。p MoO_3アノードバッファ層を有するP3HT:PC_71BMデバイスの最良の性能は,電力変換効率(PCE)4.02%,0.59VのV_OC,10.70mA cm~ 2のJ_SC,および63.7%のFFで150°C処理の下で達成され,対応するPEDOT:PSS修飾デバイスより優れていた。さらにアニールしたp MoO_3バッファ層を有するPTB7:PC_71BMデバイスの性能は,8.46%のPCE,0.73のV_OC,17.02mA cm~ 2のJ_SC,150°Cで68.1%のFFの最良の性能パラメータを劇的に改善した。デバイスの改善された性能は,以下の因子に起因する(i)焼なましたp MoO_3膜高い整流比と低い漏れ電流の良好で緻密な表面形態。(ii)アニーリング処理下での酸素空格子点と成長Mo~5+カチオンの生成W_Fの変化をもたらした。150°C処理で5.26eVの最高W_Fは短絡で効率的に抽出された光電流を持つデバイスのビルトイン電場に影響する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 仕事関数 ,  漏れ電流 ,  焼なまし ,  光学的性質 ,  *モリブデン ,  バッファ層 ,  *酸化モリブデン ,  非晶質 ,  光電流
準シソーラス用語： PEDOT:PSS ,  電力変換効率 ,  アニーリング温度 ,  表面形態 ,  *正孔輸送層 ,  *高分子太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高分子太陽電池 ,  酸化モリブデン ,  正孔輸送層 ,  調製 ,  合成法