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J-GLOBAL ID：201702265443752585   整理番号：17A1767417

同時蒸着法により作製したCu₂ZnSnSe₄薄膜太陽電池に及ぼすZn含有量の影響と制御

Control of Zn Content and Influence on Cu₂ZnSnSe₄ Thin-Film Solar Cells Fabricated by Coevaporation

著者 (5件)： JEON Dong-Hwan (Daegu Gyeongbuk Inst. Sci. and Technol. (DGIST), Daegu, KOR) ,  HWANG Dae-Kue (Daegu Gyeongbuk Inst. Sci. and Technol. (DGIST), Daegu, KOR) ,  KANG Jin-Kyu (Daegu Gyeongbuk Inst. Sci. and Technol. (DGIST), Daegu, KOR) ,  NAM Dahyun (Sogang Univ., Seoul, KOR) ,  CHEONG Hyeonsik (Sogang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 11  ページ： 8236-8241  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 同時蒸着したCu₂ZnSnSe₄(CZTSe)吸収層の性質に及ぼすZn含有量の影響を調べた。様々なZn組成比(Zn/Sn=1.03,1.06,108,1.17)で堆積したCZTSe前駆体を,590°CでSe蒸気圧を用いない急速熱処理を用いて焼なました。CZTSe吸収体層の結晶粒径と表面形態はZn含有量により変化した。X線回折分析を行い,特性X線回折ピークの半値幅と構造係数からCZTSe吸収体層の結晶品質を決定した。Ramanスペクトルは過剰のZnを含むCZTSe吸収層中のZnSe二次相を示した。最適なZn含有量(Zn/Sn=1.06)を有するCZTSe太陽電池の変換効率は6.11%であった。

シソーラス用語： スズ化合物 ,  セレン化物 ,  亜鉛化合物 ,  化合物半導体 ,  銅化合物 ,  *太陽電池 ,  吸収体 ,  同時蒸着 ,  薄膜成長 ,  *半導体薄膜 ,  含有量 ,  亜鉛
準シソーラス用語： 光吸収体 ,  *薄膜太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 同時蒸着 ,  作製 ,  薄膜太陽電池 ,  Zn ,  含有量