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J-GLOBAL ID：201702265476831062   整理番号：17A1170255

反強誘電性トンネル接合【Powered by NICT】

Antiferroelectric Tunnel Junctions

著者 (5件)： Apachitei Geanina (Department of Physics, University of Warwick, Gibbet Hill Road, Coventry, CV4 7AL, UK) ,  Peters Jonathan J. P. (Department of Physics, University of Warwick, Gibbet Hill Road, Coventry, CV4 7AL, UK) ,  Sanchez Ana M. (Department of Physics, University of Warwick, Gibbet Hill Road, Coventry, CV4 7AL, UK) ,  Kim Dong Jik (Department of Physics, University of Warwick, Gibbet Hill Road, Coventry, CV4 7AL, UK) ,  Alexe Marin (Department of Physics, University of Warwick, Gibbet Hill Road, Coventry, CV4 7AL, UK)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201700126  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着とスパッタリングにより作製したLa_0 7Sr_0 3MnO_3/PbZrO_3/Coの反強誘電性トンネル接合を初めて報告した。電流-電圧曲線は約4nmの厚さまでPbZrO_3障壁の反強誘電挙動に対応する単安定型(しきい値)抵抗スイッチングを明らかにした。強誘電トンネル接合における通常値よりはるかに高い,10~9%までのトンネル電気抵抗値を室温で観測した。抵抗スイッチングは,外部場により誘起された非極性への極性スイッチングの組み合わせに起因し,障壁高さの有意な変化,及びFowler-Nordheimトンネリングへの直接トンネリングのクロスオーバをもたらした。低温では,デバイスは逆トンネル磁気抵抗,抵抗が平行磁化状態,多分界面ZrおよびCoイオンのハイブリダイゼーション影響スピン分極により引き起こされる高いを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  磁気抵抗 ,  *反強誘電性 ,  ジルコニウム ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  電圧 ,  極性 ,  *トンネル接合 ,  トンネル効果 ,  スイッチング ,  パルスレーザ蒸着 ,  スピン分極 ,  界面
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 反強誘電材料 ,  electroresistance ,  磁気抵抗 ,  偏光 ,  トンネリング

分類 (4件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 反強誘電性 ,  トンネル接合