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J-GLOBAL ID：201702265506124821   整理番号：17A1250742

5~300K温度範囲にわたるバルクCMOS電流整合への直列抵抗の影響【Powered by NICT】

Impact of Series Resistance on Bulk CMOS Current Matching Over the 5-300K Temperature Range

著者 (4件)： Dao Nguyen Cong (School of Electrical and Information Engineering, The University of Sydney, Sydney, NSW, Australia) ,  El Kass Abdallah (School of Electrical and Information Engineering, The University of Sydney, Sydney, NSW, Australia) ,  Jin Craig T. (School of Electrical and Information Engineering, The University of Sydney, Sydney, NSW, Australia) ,  Leong Philip H. W. (School of Electrical and Information Engineering, The University of Sydney, Sydney, NSW, Australia)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 7  ページ： 847-850  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は5~300Kの温度範囲でバルクnMOSとpMOS電界効果トランジスタ電流の整合に及ぼすソース/ドレイン直列抵抗の影響を示した。直列抵抗を抽出する新しい方法を紹介し,著者らは,直列抵抗を考慮して,電流変化は温度の減少と共に増加することを実験的に示した。さらに,MOSFETパラメータと直列抵抗に基づく電流不整合を計算するための新しいアプローチを提案した。アプローチについて検討温度で従来のモデルよりも良好な電流変化を予測した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不整合 ,  FET【トランジスタ】 ,  *CMOS ,  MOSFET ,  *電流
準シソーラス用語： *直列抵抗 ,  *温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 温度範囲 ,  バルク ,  CMOS ,  整合 ,  直列抵抗