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J-GLOBAL ID：201702265542896831   整理番号：17A0780970

抵抗スイッチングデバイスのための(La,Ba)MnO₃/ZnOナノ構造のESR研究

ESR Study of (La,Ba)MnO₃/ZnO Nanostructure for Resistive Switching Device

著者 (6件)： POLEK Taras (Inst. of Magnetism) ,  SEMEN’KO Mykhaylo (Taras Shevchenko National Univ. Kyiv) ,  ENDO Tamio (Sagamihara Surface Lab) ,  NAKAMURA Yoshinobu (Univ. Tokyo) ,  LOTEY Gurmeet Singh (DAV Univ.) ,  TOVSTOLYTKIN Alexandr (Inst. of Magnetism)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 12:180 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrTiO₃(001)基板上に成長させた(La,Ba)MnO₃/ZnOナノ構造の構造,電気的,共鳴特性を調べた。室温の比較的定電圧(|V|<0.2V)で構造は整流係数が210の良好な整流挙動を示すことが分かった。抵抗スイッチング特性は高電圧を印加後に検出された。試料の磁性相組成の温度進展を,電子スピン共鳴測定の結果に基づいて詳細に解析した。260K以下の磁化状態は強磁性と常磁性相の共存で特徴づけられるが,より高い温度では磁性相分離の証拠はない。磁性相分離やまたは電界誘起の酸素空孔マイグレーションのような抵抗スイッチングのための異なる駆動機構を得られた結果の内容で検討した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ナノ構造 ,  酸化物 ,  PN接合 ,  ヘテロ接合 ,  比率 ,  スイッチング ,  *ESR【磁気共鳴】 ,  相 ,  相組成 ,  強磁性 ,  常磁性 ,  電流電圧特性 ,  *マンガン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  バリウム化合物 ,  *酸化亜鉛 ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板
準シソーラス用語： P-Nヘテロ接合 ,  磁性相 ,  整流比 ,  *抵抗スイッチング ,  電子スピン共鳴

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 抵抗スイッチング ,  La ,  Ba ,  ZnO ,  ナノ構造 ,  ESR ,  研究