文献

J-GLOBAL ID：201702265601097083   整理番号：17A1217322

マルチレベルメモリスタデバイスとしての絹フィブロインと半導体量子ドットの溶液処理した二分子層接合【Powered by NICT】

Solution processed bilayer junction of silk fibroin and semiconductor quantum dots as multilevel memristor devices

著者 (2件)： Murgunde B.K. (Department of Physics Karnatak University, Dharwad, 580003, India) ,  Rabinal M.K. (Department of Physics Karnatak University, Dharwad, 580003, India)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 48  ページ： 276-284  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カイコ蛋白質は二層の電気的メモリ素子を形成する半導体量子ドット(CdSe)と統合した。これらの膜は個別スピンITO絹フィブロインを形成するITO表面上に被覆されている:CdSe金属接合。これらの材料を,DSC,TGA,FTIR,紫外可視吸収,X線回折(XRD)と電界放出走査電子顕微鏡(FESEM)及びTEMにより特性化し,それらの物理的性質を理解することである。電荷輸送はその電気的メモリスイッチング挙動を研究するために配列零陽性零負零における環状電圧走査により上記デバイス上で行った。デバイスは順方向とは全く対称逆領域におけるマルチレベル電気的スイッチングを示し,オン/オフ比は十分に分解した。これらの接合は,良好な耐久性と高い再現性を有し,従って電気情報記憶応用のための重要な界面であることができる。以上メモリスタの観察された結果は,それらのエネルギーバンド図の観点から説明した,これらの界面における正孔の単極電荷輸送は,CdSeと絹フィブロインエネルギーギャップの両方において複数の正孔捕獲中心によって支持される支配的なメカニズムであることが観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,  正孔 ,  キャラクタリゼーション ,  界面 ,  エネルギーギャップ ,  耐久性 ,  X線回折 ,  捕獲中心 ,  電圧 ,  記憶素子 ,  スイッチング
準シソーラス用語： *メモリスタ ,  電荷輸送 ,  *半導体量子ドット ,  *絹フィブロイン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 再生絹フィブロイン(RSF) ,  セレン化カドミウムナノ粒子(CdSe) ,  マルチビットメムリスティブ素子

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 絹フィブロイン ,  半導体量子ドット ,  溶液処理 ,  二分子層