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J-GLOBAL ID:201702265653231964   整理番号:17A1650319

電流注入デュアルゲートグラフェンチャネルFETに基づいたテラヘルツ発光トランジスタ【Powered by NICT】

Terahertz light emitting transistor based on current injection dualgate graphene-channel FET
著者 (10件):
資料名:
巻: 2017  号: IRMMW-THz  ページ: 1-2  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分布帰還形二重ゲートグラフェンチャネル電界効果トランジスタ(DFB DG GFET)における電流注入による100Kで1~7.6THz範囲における増幅された自然広帯域テラヘルツ放射を報告した。デバイスは電流注入レベルに関して非線形しきい値様挙動を示した。観察された自発的広帯域発光を超える単一モードTHzレーザ発振に期待されている正確なDFB共振器設計。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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