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J-GLOBAL ID:201702265677701330   整理番号:17A1723388

レーザ照射によるシリコン上のinsuiatorマイクロリング共振器のトリミング【Powered by NICT】

Trimming of silicon-on-insuiator micro-ring resonators by laser irradiation
著者 (5件):
資料名:
巻: 2017  号: CLEO/Europe-EQEC  ページ:発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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絶縁体(SOI)上のシリコン電子集積回路の製造に使用される既存の製造プロセスとの適合性のため,フォトニック集積回路(PIC)に興味があることを良く確立されたフォトニックプラットフォームである。SOIシリコン層中を伝搬する光学モードの強い光閉込めを可能にする高屈折率コントラストを提供するが,フォトニック回路部品(例えば,リング共振器のような)の性能は,製作公差に大きく依存する。これは設計値と実質的にずれリング共鳴をもたらす可能性がある。トリムまたはこのような成分を調整後処理できるように有利な,共鳴を調整する所望の波長にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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光導波路,光ファイバ,繊維光学 
タイトルに関連する用語 (4件):
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