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J-GLOBAL ID：201702265688314363   整理番号：17A1548176

単層MoS_2のk・pハミルトニアンを計算するための無限小塩基変換法【Powered by NICT】

Infinitesimal base transformations method for calculating the k.p Hamiltonian of monolayer MoS₂

著者 (5件)： Beiranvand Khadijeh (Department of Physics, Faculty of Science, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran) ,  Ghalambor Dezfuli Abdolmohammad (Department of Physics, Faculty of Science, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran) ,  Ghalambor Dezfuli Abdolmohammad (Center for Research on Laser and Plasma, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran) ,  Sabaeian Mohammad (Department of Physics, Faculty of Science, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran) ,  Sabaeian Mohammad (Center for Research on Laser and Plasma, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 110  ページ： 180-190  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,無限小基底変換摂動理論に基づくk・p法を用いた単層MoS_2バンド構造の研究を提示した。もバンド構造に対するスピン-軌道結合の効果を調べた。低エネルギーk・pハミルトニアンを計算し,最後の価電子帯の分散関係と第一Brillouin帯のKおよびK点での最初の伝導バンドを導出した。結果は電子-正孔非対称性および三方対称のワーピング効果を明確に示した。結果も第一伝導帯のスピン分裂を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 基底 ,  非対称性 ,  Brillouin帯 ,  摂動論 ,  対称性 ,  *単一層 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  *ハミルトニアン ,  正孔 ,  バンド構造 ,  分散関係
準シソーラス用語： スピン分裂 ,  低エネルギー ,  k・p法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ハミルトニアン ,  二次元材料 ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  単分子層MoS_2バンド構造 ,  k・p法無限小基底変換摂動理論 ,  スピン-軌道結合

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層 ,  ハミルトニアン ,  計算 ,  塩基