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J-GLOBAL ID：201702265714825144   整理番号：17A1555368

電気素子のためのモデリング:Bornりん化単分子層をベースにした硫化水素ガスセンサ【Powered by NICT】

Modelling for electric devices: A hydrogen sulfide gas sensor based on born phosphide monolayer

著者 (8件)： Lin Zhongkang (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology Beijing 102209, China) ,  Shi Hao (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology Beijing 102209, China) ,  Han Ronggang (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology Beijing 102209, China) ,  Wang Liming (Faculty of Electronmechanical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, No. 1 Jinji Road, China) ,  Cheng Yongfa (Faculty of Electronmechanical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, No. 1 Jinji Road, China) ,  Tan Chunjian (Faculty of Electronmechanical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, No. 1 Jinji Road, China) ,  Ye Huaiyu (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University, 400044, China) ,  Chen Xianping (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University, 400044, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEPT  ページ： 1414-1416  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)りん化ほう素(BP)単分子層の電気的性質に関する最近の報告は,ナノスケールデバイスへの利用が期待されることを示した。,ガスセンシングにおけるそれらの利用の可能性を利用するために第一原理計算を用いた純粋およびドープしたBP単分子層系に及ぼす硫化水素(H_2S)ガス分子の吸着を調べた。著者らの結果は,H_2Sガス分子は元のBP単分子層上での不純物をドープしたBPに強い吸着相互作用を示すことを予測した。ホウ素(B)とリン(P)の両方代替ドーピング法を考察した。AlドープBP(Al BP)はH_2Sに対して最も高い感度を示したが,P置換Al BPは中程度の吸着エネルギーのためにH_2Sセンサーとしてのにより適している。,BおよびP空孔欠陥も考察した。H_2Sガス分子は未処理/ドープBP単分子層上に吸着された時さらに,バンド構造の解析,電荷密度差(CDD),および状態密度(DOS)は,電子特性の正の変化を示した。本研究では,適切なドーパントと空格子点欠陥を導入することにより優れたセンサとしてBPの可能性を調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *硫化水素 ,  計算 ,  吸着エネルギー ,  状態密度 ,  吸着 ,  *ガスセンサ ,  ドーピング ,  *モデリング ,  ドーパント ,  バンド構造 ,  *単分子層 ,  アルミニウム ,  電気的性質 ,  不純物
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  気体分子 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： モデリング ,  りん ,  単分子層 ,  硫化水素ガスセンサ