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J-GLOBAL ID：201702265734915232   整理番号：17A0544804

6H-SiC(0001)上のエピタキシャルグラフェン直下のコバルト層間化合物形成の研究

The investigation of cobalt intercalation underneath epitaxial graphene on 6H-SiC(0 0 0 1)

著者 (8件)： ZHANG Yuxi (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHANG Yuxi (Collaborative Innovation Centre of Advanced Microstructure, Nanjing, CHN) ,  ZHANG Hanjie (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHANG Hanjie (Collaborative Innovation Centre of Advanced Microstructure, Nanjing, CHN) ,  CAI Yiliang (Zhejiang Univ. Water Resources and Electric Power, Hangzhou, CHN) ,  SONG Junjie (Zhejiang Univ., Ningbo, CHN) ,  HE Pimo (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  HE Pimo (Collaborative Innovation Centre of Advanced Microstructure, Nanjing, CHN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 7  ページ： 075701,1-8  発行年： 2017年02月17日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiC(0001)上のエピタキシャルグラフェン単分子層と二分子層成長は広く研究されている。また,これらの層に金属層間化合物を組み込むことは,グラフェンの構造と電気的性質を同調できる可能性をもつ。本稿では,6H-SiC(0001)上のエピタキシャルグラフェン単分子層直下のコバルトの層間化合物形成挙動を走査トンネリング顕微鏡法(STM)と密度汎関数理論(DFT)により調べた。蒸着膜上のコバルト原子はエピタキシャルグラフェン上のクラスタに凝集する傾向があった。試料を850°Cでアニーリングした後に,SiC上の単分子層と二分子層エピタキシャルグラフェンへの吸着コバルト原子の層間化合物形成が起こり,それを原子分解STMにより観察した。さらに,DFTモデリングとシミュレーテッドSTM画像により層間化合物コバルト原子と炭素層相互作用がもたらすスイッチングを観測し,単分子層と二分子層グラフェン直下のコバルト原子のエネルギー的に有利な層間化合物形成部位が異なることを示した。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *エピタクシー ,  *炭化ケイ素 ,  *コバルト ,  *インターカレーション ,  単分子層 ,  二分子層 ,  層間化合物 ,  構造特性 ,  電気的性質 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  密度汎関数法 ,  蒸着膜 ,  クラスタ ,  凝集 ,  焼なまし ,  吸着 ,  スイッチング
準シソーラス用語： *6H-SiC ,  原子分解能

分類 (3件)： 原子と光子の相互作用  (BH03060F) ,  金属の結晶成長  (BK13030M) ,  分子化合物の結晶構造  (BK09050T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 6H-SiC ,  エピタキシャルグラフェン ,  コバルト ,  層間化合物形成 ,  研究