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J-GLOBAL ID：201702265753731234   整理番号：17A1774201

SiCパワーMOSFETのためのMHzスイッチング速度電流源ゲートドライバ【Powered by NICT】

MHz-switching-speed current-source gate driver for SiC power MOSFETs

著者 (3件)： Inamori Sho (Kyoto Institute of Technology, Matsugasaki Sakyo-ku, Kyoto, Japan) ,  Furuta Jun (Kyoto Institute of Technology, Matsugasaki Sakyo-ku, Kyoto, Japan) ,  Kobayashi Kazutoshi (Kyoto Institute of Technology, Matsugasaki Sakyo-ku, Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EPE’17 ECCE Europe  ページ： P.1-P.7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化けい素(SiC)パワーMOSFETのためのMHzスイッチング速度電流源ゲートドライバを提案した。提案したゲート駆動回路はスイッチング過渡現象中の電流源としてインダクタを使用する。従来のゲート駆動回路と比較して,提案したゲートドライバーは,スイッチング時間io_ffとio_nを減少させるそれぞれ20%と32%であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゲート回路 ,  *炭化ケイ素 ,  スイッチング過渡現象
準シソーラス用語： スイッチング時間 ,  *電流源 ,  *スイッチング速度 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  その他の電子回路  (NC05090X) ,  電源回路  (NC05060Q) ,  サイリスタ  (NC03060C) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  パワーMOSFET ,  スイッチング速度 ,  電流源 ,  ゲート ,  ドライバ