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J-GLOBAL ID:201702265834579845   整理番号:17A1488468

第一原理により研究した空格子点があるグラフェンの電子輸送に及ぼす金属クラスタの効果【Powered by NICT】

The effects of metal-cluster on electronic transport of graphene with vacancy studied by first-principles
著者 (7件):
資料名:
巻: 109  ページ: 47-53  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0600B  ISSN: 0749-6036  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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グラフェンの単一および二重空格子点に吸着したAg_n(n=1 6)クラスタの配置を密度汎関数理論により得られ,電子輸送に及ぼす効果を,非平衡Green関数によって研究した。空格子点(0.8at%の濃度)に吸着したクラスタとグラフェンのコンダクタンスは,吸着エネルギー,’n’として振動する1~6増加と共に単調に増加することを示し,クラスタのいくつかは空孔で吸着されるならば,欠陥のあるグラフェンのコンダクタンスは20%以上(または50%)によって改善できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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電子輸送の一般理論 

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