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J-GLOBAL ID：201702265950654301   整理番号：17A1637384

新しいエッチング液とその応用ウエハレベルパッケージ試料調製【Powered by NICT】

A new etchant and its application in wafer level package sample preparation

著者 (5件)： Liu Wenxiao (Semiconductor Manufacturing International Corporation / No. 18 Wenchang Road, Beijing, P.R. China, 100176) ,  Dai Haibo (Semiconductor Manufacturing International Corporation / No. 18 Wenchang Road, Beijing, P.R. China, 100176) ,  Lee J H (Semiconductor Manufacturing International Corporation / No. 18 Wenchang Road, Beijing, P.R. China, 100176) ,  Zhang Qihua (Semiconductor Manufacturing International Corporation / No. 18 Wenchang Road, Beijing, P.R. China, 100176) ,  Chen Kary (Semiconductor Manufacturing International Corporation / No. 18 Wenchang Road, Beijing, P.R. China, 100176)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウエハレベルパッケージ(WLP)試料は,その低コスト(ウエハバッチプロセス),高性能,小形状因子と低組立コスト[1]による最も一般的な包装方法の一つである。被膜剥離は,破壊解析に必要である。Fig.1とFig.2はチップ上のSn球によるWLPウエハのスケッチ地図である。パッケージにスズ(Sn)ボールを除去する必要があるポリイミド(PI)とチップ間金属下の銅線(再分布線,RDL)は損傷できない。本論文では,新しいエッチング液は,WLP Sn球除去のために開発したことを議論した。エッチング液は,エッチング液(硝酸),促進剤(Cl ),酸化剤,降圧および脱イオン(DI)水を含む混合物である。溶液の一次化学は硝酸,チップの上面上のSn球と反応する。溶液の他の成分を酸化剤,促進剤及び降圧,使用したエッチング速度と溶液の特性を制御するためである。エッチング液の結果を走査電子顕微鏡(SEM)と集束イオンビーム(FIB),試料の表面上のSn球は除去されるか否かとチップの内部銅線が損傷を受けたか否かを評価できるで観察した。従来のNiエッチング液と比較して,新しいエッチング液は次の要求を満たすことができる(1)その結果,Sn球を迅速に除去できる(数分);(2)RDLとチップ中の銅線を損傷できない(3)試料表面は清浄であり,容易に観察することができる(4)コストは非常に低く,これはNiエッチング液の十分の1以上だけでなく。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エッチング液 ,  再分布 ,  スズ ,  ニッケル ,  *試料調製 ,  集束イオンビーム ,  形状因子 ,  走査電子顕微鏡 ,  層間剥離 ,  硝酸
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  銅線 ,  破壊解析 ,  *ウエハレベルパッケージ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： エッチング液 ,  応用 ,  ウエハレベルパッケージ ,  試料調製