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J-GLOBAL ID:201702266045534626   整理番号:17A1715686

リチウム,ナトリウムとガリウムをドープしたp型Mg_2Sn_0 0.75Ge_0の熱電特性の比較研究【Powered by NICT】

Comparative studies on thermoelectric properties of p-type Mg2Sn0.75Ge0.25 doped with lithium, sodium, and gallium
著者 (8件):
資料名:
巻: 141  ページ: 154-162  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0316A  ISSN: 1359-6454  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Mg(Sn,Si)とMg(Sn,Ge)は発電のために300 800Kの温度範囲で良好な熱電特性を持つ有望なn型熱電材料である,p型材料の類似した熱電性能は等しく重要である。しかし,p型材料性能はn型よりはるかに悪いことに,最適化されたキャリア濃度を達成するp型Mg_2X(X=Sn, Si)のための困難であったからである。本研究では,系統的にドーパントLi,Na,およびGaの効果を比較し,最高のキャリア濃度はLiをドープした試料で達成可能であることを見出した。Snの相対的に高い含有量のために,>5×10~19cm~ 3のキャリア濃度は全てのドーパントで達成された。単一放物線バンドモデルの枠内で輸送データの解析は,すべてのドーパントで類似しており,キャリア濃度依存性有効質量を示した。著者らの結果は,研究したドーパントのためのp型Mg_2Xに対する剛体バンド構造を示し,以前の報告とは対照的であった。より高いキャリア移動度は以前の報告と比較してLiをドープした試料に対して達成された。より大きなHall移動度はより高いピーク力率をもたらしている。高いキャリア濃度のために,固有励起(バイポーラ効果)の開始は,他の二種類のドーパントと比較して,より高い温度,Liをドープした試料に対して723Kで~0.5の性能ピーク図に結果にシフトした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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半導体結晶の電気伝導  ,  熱電デバイス 

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