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J-GLOBAL ID：201702266053132778   整理番号：17A1236899

擬ハロゲン化物気相エピタクシーにより成長させた炭素ドープGaN層【Powered by NICT】

Carbon doped GaN layers grown by Pseudo-Halide Vapour Phase Epitaxy

著者 (9件)： Siche Dietmar (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489, Berlin, Germany) ,  Zwierz Radoslaw (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489, Berlin, Germany) ,  Kachel Krzysztof (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489, Berlin, Germany) ,  Kachel Krzysztof (Currently employed by ASM Belgium N.V., Kapeldreef 75, B-3001, Leuven, Belgium) ,  Jankowski Nadja (Institut fuer Festkorperphysik, TU Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623, Berlin, Germany) ,  Nenstiel Christian (Institut fuer Festkorperphysik, TU Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623, Berlin, Germany) ,  Callsen Gordon (Institut fuer Festkorperphysik, TU Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623, Berlin, Germany) ,  Bickermann Matthias (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489, Berlin, Germany) ,  Hoffmann Axel (Institut fuer Festkorperphysik, TU Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623, Berlin, Germany)
資料名： Crystal Research and Technology  (Crystal Research and Technology)
巻： 52  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0738A  ISSN： 0232-1300  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 擬ハロゲン化物気相エピタクシー(PHVPE)を用いて,厚い炭素ドープGaN層を成長半絶縁性(SI)基板としてのそれらの適合性を検討することであった。FTIR分光法によるその場排ガス分析により,HCN前駆体ガスからの炭素ドーピングは間接的に5×10~19cm~ 3までの広い範囲で制御した。成長させた層は走査電子顕微鏡(SEM),二次イオン質量分光法(SIMS),光ルミネセンス(PL),マイクロRaman分光法,Hall効果測定,高分解能X線回折(HRXRD)により評価した。不純物混入(O,Si,Mg,Zn)と同様に,炭素分布は不均一であり,いわゆるVピットのファセット上のその増加した取り込みによることを証明した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  *ドーピング ,  Hall効果 ,  *窒化ガリウム ,  前駆体 ,  *気相成長 ,  光ルミネセンス ,  不純物 ,  *炭素 ,  顕微Raman分光法 ,  ファセット
準シソーラス用語： 高分解能X線回折 ,  炭素ドーピング ,  排ガス分析 ,  半絶縁性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： III-V窒化物 ,  擬ハロゲン化物気相エピタクシー(PHVPE) ,  炭素ドーピング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 擬ハロゲン化物 ,  気相エピタクシー ,  成長 ,  炭素 ,  ドープ ,  GaN