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J-GLOBAL ID：201702266056309519   整理番号：17A1997925

金属/半導体界面におけるプラズモン結合

Plasmonic coupling at a metal/semiconductor interface

著者 (7件)： TAN Shijing (Univ. Pittsburgh, PA, USA) ,  ARGONDIZZO Adam (Univ. Pittsburgh, PA, USA) ,  REN Jindong (Univ. Pittsburgh, PA, USA) ,  ZHAO Jin (Univ. Pittsburgh, PA, USA) ,  PETEK Hrvoje (Univ. Pittsburgh, PA, USA) ,  ZHAO Jin (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  LIU Liming (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN)
資料名： Nature Photonics  (Nature Photonics)
巻： 11  号： 12  ページ： 806-812  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： W2212A  ISSN： 1749-4885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズモニックナノ粒子を半導体基板に集積化することによって,強い光共鳴が生じ,光触媒活性や光起電活性のスペクトルが拡大され増強される。プラズモン共鳴の効果は,増強された光活性の作用スペクトルに基づいて,場によるナノ閉じ込め,プラズモン-励起子結合,ホットエレクトロンの移動などさまざまな要因によるとされてきた。しかし,基板中の高エネルギーキャリアが,一般的に考えられているとおり金属からプラズモニックに生成されたホットエレクトロンの移動によって生成されるのか,あるいは界面でのプラズモン場のディフェージングによって直接生成されるのか,よくわかっていなかった。今回我々は,二光子光電子分光法でコヒーレンスとホットエレクトロンダイナミクスを直接調べることによって,典型的なAgナノクラスター/TiO₂ヘテロ接合におけるホットエレクトロン生成には,その化学的界面をまたがる直接プラズモン結合が重要であることを実証している。Agナノクラスター/TiO₂ヘテロ接合における励起エネルギー,時間,物質分布から,基板との誘電的結合によってAgナノ粒子のプラズモン共鳴がリノーマライズされ,そのディフェージングによって10fs未満の時間スケールでTiO₂においてホットエレクトロンが直接生成されることが示されている。Copyright Nature Japan KK 2018

シソーラス用語： 界面 ,  *半導体金属接合 ,  *プラズモン ,  モード結合 ,  ホットエレクトロン ,  デフェージング ,  プラズマ共鳴 ,  ナノクラスタ ,  光電子分光法 ,  電子分光法 ,  *酸化チタン ,  *ヘテロ接合 ,  ナノ粒子 ,  触媒活性 ,  励起子
準シソーラス用語： *金属-半導体界面

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (2件)： 界面 ,  プラズモン結合