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J-GLOBAL ID:201702266094946410   整理番号:17A0499626

包接錯体における自由エネルギーパターン:安定性定数における非包接部分の関連性

Free-energy patterns in inclusion complexes: the relevance of non-included moieties in the stability constants
著者 (3件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 5209-5221  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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包接錯体は,薬物可溶化からスマート材料までの様々な用途において重要な役割を果たす。本研究では,平均力ポテンシャル計算の可能性を含む分子動力学に基づく一連の研究を提示し,包接を支配する要因の理解を目指した。一般的な宿主β-シクロデキストリンのゲストとして,ナフタレンおよびその誘導体を用いた。ナフタレンの置換は,置換基の性質にかかわらず,後者が小さな疎水性および親水性(荷電した)基を含むことにかかわらず,錯形成定数の増加(最大100倍)を促進することを観察した。エントロピーは,支配的ゲスト-ホスト相互作用の寄与を伴って,エンタルピー成分によって与えられる結合自由エネルギーの大きさの次数である介在物に好都合でないことが分かった。脱溶媒和は包接プロセスに不利益を与え,親水性基および荷電基の近傍には観察されなく,溶媒にさらされたままであった。その結果,これらの錯体に基づく超分子構造における特性の調節のための直接的な転位を伴って,種々の置換基を課すことによって,包接錯体の実質的な調節を達成できることを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
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分子間相互作用  ,  分子化合物 
タイトルに関連する用語 (5件):
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