文献

J-GLOBAL ID：201702266095200884   整理番号：17A1025587

カスケードSiC MOSFETに基づく新しい固体DCブレーカ【Powered by NICT】

A novel solid-state DC-breaker based on cascaded SiC MOSFETs

著者 (5件)： Ren Yu (Power Electronics and Renewable Energy Research Center, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, P.R. China) ,  Yang Xu (Power Electronics and Renewable Energy Research Center, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, P.R. China) ,  Qiao Liang (Power Electronics and Renewable Energy Research Center, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, P.R. China) ,  Zhang Fan (Power Electronics and Renewable Energy Research Center, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, P.R. China) ,  Wang Laili (Power Electronics and Renewable Energy Research Center, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, P.R. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： APEC 2017  ページ： 824-828  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カスケードSiC MOSFETのための単一標準ゲートドライバに基づく新しい制御トポロジーを最初に提案した。,2.4kV,20A実験的プロトタイプを解析を検証し,提案したトポロジーの有用性を示した。固体直流遮断器の動作特性を解析し,いくつかの元素は,DC遮断器応用に適したものにする解析に基づいて提案カスケードSiC MOSFETスタックに加えた。2.4kV,20A直流遮断器プロトタイプを提案DCブレーカトポロジーを検証し,二カスケードデバイスを横切る電圧は短絡電流のシャットダウンプロセス時における濃度を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  直流 ,  *炭化ケイ素 ,  プロトタイプ ,  電圧 ,  *MOSFET ,  短絡電流 ,  *遮断器
準シソーラス用語： 動作特性 ,  直流遮断 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： カスケード ,  SiC ,  MOSFET ,  固体 ,  DC ,  ブレーカ