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J-GLOBAL ID：201702266099783855   整理番号：17A1568816

LDMOSトランジスタにおける電流のコンパクトモデル【Powered by NICT】

A compact model for the current in LDMOS transistors

著者 (3件)： Keshtkar Hojjat (Islamic Azad University, Meybod Branch, Meybod, Iran) ,  Javadiun Erfan (Islamic Azad University, Science and Research Branch, Tehran, Iran) ,  Mansourghanaei Hassan (Shahab Danesh Institute of Higher Education, Qom, Iran)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EIT  ページ： 171-176  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高周波および高出力LDMOSトランジスタにおける電流のコンパクトモデルを導き出す為に提案される閉じた形の物理ベース表面電位アプローチ。この目的のために,三可変抵抗器を用いたドリフト領域をモデル化した。チャネルにおける速度飽和と同様にNドリフト領域の存在のために準飽和の影響を考慮した。,自己加熱現象は適切なモデルパラメータを設定することにより考慮した。トランジスタ電流のために提案された解析的表現を単純性を提供し,数値シミュレーションで精度を増加させた。モデリングと実験的解析とプロセスシミュレーションを介して得られたによって得られた結果の比較は,提案したモデルの一貫性と妥当性を確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HF【周波数】 ,  ドリフト ,  シミュレーション ,  モデリング ,  *電流 ,  *トランジスタ ,  表面電位 ,  プロセスシミュレーション ,  チャネル ,  可変抵抗器 ,  *モデル
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  モデルパラメータ ,  自己加熱 ,  高出力 ,  *コンパクトモデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： LDMOS ,  トランジスタ ,  コンパクトモデル