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J-GLOBAL ID：201702266113621581   整理番号：17A1521719

エルビウムドープ高分子スリット導波路増幅器の利得特性研究【JST・京大機械翻訳】

Simulation of Gain Properties for Slot Waveguide Amplifiers Based on Erbium-doped Polymers

著者 (5件)： Li Tong (深zhen大学電子科学与技術学院,广東省微納光机電工程技術重点実験室,光電子器件与系統教育部/广東省重点実験室,广東深zhen518060) ,  Zhang Meiling (吉林大学電子科学与工程学院,集成光電子学国家重点聯合実験室吉林大学実験区,吉林省光通信用聚合物波導器件工程実験室,吉林長春130012) ,  Wang Fei (吉林大学電子科学与工程学院,集成光電子学国家重点聯合実験室吉林大学実験区,吉林省光通信用聚合物波導器件工程実験室,吉林長春130012) ,  Zhang Daming (吉林大学電子科学与工程学院,集成光電子学国家重点聯合実験室吉林大学実験区,吉林省光通信用聚合物波導器件工程実験室,吉林長春130012) ,  Wang Guoping (深zhen大学電子科学与技術学院,广東省微納光机電工程技術重点実験室,光電子器件与系統教育部/广東省重点実験室,广東深zhen518060)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 38  号： 2  ページ： 213-219  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高濃度希土類エルビウム添加高分子充填シリコンスリット構造の平面光導波路増幅器(動作波長1550nm、ポンプ波長1480nm)を設計し、低ポンプで高利得を得ることができ、シリコン基光相互接続の損失補償に応用できる。走査型電子顕微鏡写真の観察により、合成したエルビウムドープ高分子材料は良好なナノスリット充填能力を有することが分かった。エルビウムイオンの協力的アップコンバージョンと励起状態の吸収を考慮して、イオン四準位遷移モデルを用いて、原子速度方程式と光パワー伝送方程式を構築し、数値シミュレーションにより、ポリマーの光学性質、スリット導波路構造パラメータ及び信号光ポンプパワーなどの増幅器の利得特性の影響因子を分析した。これらの結果は,4.5nmの信号利得が,1.5mWのポンプ光を必要とし,良好な集積光学応用の見通しを示すことを示す,それは,ナノ断面サイズを有する光導波路増幅器である。利得をさらに向上させるために,多層スリット構造を導入し,四層スリット導波路の重ね合わせ積分因子は,一層スリットのそれより42%高かった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *増幅器 ,  構造パラメータ ,  波長 ,  光導波路 ,  レート方程式 ,  *利得 ,  *高分子 ,  周波数逓倍 ,  *導波路 ,  重合せ ,  重合体 ,  走査電子顕微鏡 ,  集積光学 ,  励起状態 ,  ケイ素

著者キーワード (3件)： waveguide amplifier ,  slot waveguide ,  optoelectronic device

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (8件)： エルビウム ,  ドープ ,  高分子 ,  スリット ,  導波路 ,  増幅器 ,  利得 ,  研究