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J-GLOBAL ID：201702266197600580   整理番号：17A0934546

磁性有機分子を修飾したグラフェン単電子デバイスの開発

著者 (1件)： 金井康 (大阪大 産科研)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 31  ページ： 150-156  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・グラフェン量子ドットを,化学蒸着グラフェンを使い,電子ビームリソグラフィーと反応イオンエッチングにより作製。
・グラフェンが量子ドットになったことを示すCoulomb振動とCoulombダイヤモンドを観測。Coulombブロッケードにおけるコンダクタンスは通常抑制されたが,Coulombブロッケードに零バイアスコンダクタンスピークを観測。高磁場で,零バイアスコンダクタンスはより抑制されるのが観測。これら結果は,零バイアスコンダクタンスピークがKondo効果由来であることを明示。Kondo温度は,零バイアスコンダクタンス幅から~4.8K,帯電効果と,量子ドットとソース-ドレイン電極とのトンネル結合から3.2Kと評価。
・グラフェンに酸化還元反応を起こすフェロセンを修飾。サイクリックボルタンメトリーにより,この修飾を確認し,修飾量を評価。修飾密度を7.9×10⁴(分子/mm²)と推定し,量子ドットが十分に修飾されたことを確認。

シソーラス用語： *グラフェン ,  化学蒸着 ,  電子ビームリソグラフィー ,  RIE【エッチング】 ,  Coulombブロッケード ,  コンダクタンス ,  *Kondo効果 ,  *フェロセン ,  *化学修飾 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  *量子ドット ,  半導体素子
準シソーラス用語： Coulombダイヤモンド ,  *単一電子デバイス

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁性 ,  有機分子 ,  修飾 ,  グラフェン ,  単電子デバイス ,  開発