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J-GLOBAL ID：201702266217793628   整理番号：17A1033743

STT-MRAMベースcyptosystemsに対する相関電力解析攻撃【Powered by NICT】

Correlation power analysis attack against STT-MRAM based cyptosystems

著者 (3件)： Chakraborty Abhishek (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, USA) ,  Mondal Ankit (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, USA) ,  Srivastava Ankur (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： HOST  ページ： 171  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン移動トルク磁気ランダムアクセスメモリ(STT MRAM)のような新技術は,低電力,高密度貯蔵システムを実現するための有望な候補と考えられている。このような不揮発性メモリ(NVM)に基づく暗号標準サイドチャネル攻撃への脆弱性は実際にそれらを展開する前に徹底的に評価する必要がある。本論文では,新しいパワーモデルを用いたSTT-MRAMに基づく暗号設計に対する一般的相関電力解析(CPA)攻撃戦略を概説した。著者らの提案した攻撃方法論では,敵対者は,秘密鍵を検索にSTT-MRAMに基づく暗号実装の書込み動作中の電力消費パターンを利用した。著者らの提案した攻撃法を検証するために,著者らは記憶素子としての磁気トンネル接合(MTJ)とSTT-MRAMセルから成るMICKEY1282~ストリーム暗号設計に対するCPA攻撃を開始した。実験の結果は,暗号回路のSTT-MRAMベースの実装に適している仮想電力モデル(本論文で提案したような)を選択すれば標準差分電力解析攻撃戦略の影響を受けやすいことを示した。添加では,MRAMのための最先端のサイドチャネル攻撃対策の有効性を調べ,提案方式はこのような保護された実装を破壊することを見出した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 暗号鍵 ,  電力消費 ,  不揮発性メモリ ,  記憶素子 ,  *暗号 ,  サイバー攻撃
準シソーラス用語： 差分電力解析 ,  暗号回路 ,  ストリーム暗号 ,  磁気トンネル接合 ,  敵対者 ,  *電力解析 ,  脆弱性 ,  サイドチャネル攻撃 ,  スピントルク ,  *電力解析攻撃 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： STT-MRAM ,  相関 ,  電力解析攻撃