抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
半導体デバイス信頼性の重要な決定因子は,与えられた運転環境内での運転温度と適切な温度管理である。最大定格接合温度(Tj)またはそれ以下で半導体デバイスを維持注意深い熱設計,包装および半導体パッケージと熱散逸成分間の効率損失を最小化する良好な熱界面材料(TIM)の選択を含むを通して達成される。材料スタックを通しての熱抵抗の最小化必要な操作温度を維持する重要な側面である。TIMの選択はますます要求の違い検討を必要とし,パッケージ設計の改善は,内部抵抗が低下し,TIMは,全損失の大きな割合になっている。熱散逸は,異なるタイプの半導体パッケージのますます広範囲でより重要になってきている。多くのパッケージングとシステムエンジニアは,異なる要求に均一に適用し,試験項目を単純化し,集合を合理化できる単一証明TIMを探すが,厳しい用途における増大する多様性はより多様で特殊化したTIMタイプの開発に最近導いた。例は半導体パッケージの応用のためのTIM選択とRF半導体のヒートシンクは,貧弱な電気伝導率は電気信号性能に影響を与える可能性がある。高度に熱的および電気的に導電性TIMは,接触面の間の均等な電気と熱伝達機構を提供するであろう。RFデバイスのための窒化ガリウムへの遷移は,より小さなフットプリントにおけるより高い熱流束と高い出力を扱うことができるTIMの必要性を増加させた。望ましい目標は二つの表面の間の最小化TIM厚さであるが,これは比較的大きな接触表面積のようなアプリケーションの要求を扱う場合にしばしば可能ではない急速温度に起因する底板の大きな可能性機械的運動とともにだんだんと大きくなる高電力IGBT電力半導体は運転中の変化高度に特殊化されたバーンインと試験応用非共平面表面はジンバル試験ヘッドの使用のために遭遇した。これらのそれぞれは,なぜの金属TIMプレホームの新しい形は最近,集積回路,パワー半導体,およびRF半導体のために開発した,実施されている例である。適切なTIMタイプの要求と選択における明瞭な差は会議システム設計要求とこれらの違いを支援し,新しい金属TIMのファミリーについて記述した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
