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J-GLOBAL ID：201702266302652850   整理番号：17A1804331

注目の製品と技術 パワーデバイス向けイオン注入装置 パワーデバイスの特性改善および生産性を大幅に向上した新型イオン注入装置SOPHI-30,SOPHI-400

著者 (1件)： 横尾秀和 (アルバック)
資料名： クリーンテクノロジー  (Clean Technology)
巻： 27  号： 12  ページ： 48-49  発行年： 2017年12月10日 
JST資料番号： L1138A  ISSN： 0917-1819  CODEN： KTEKER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・この度開発したパワーデバイス向け低加速・高濃度対応イオン注入装置「SOPHI-30」は,従来装置のデメリットを解消し,低加速・高濃度処理が当社比で1/60の時間で可能となり,枚葉処理のため極薄ウエハ割れの問題を払拭した。
・「SOPHI-30」は,ビームを輸送する距離を極限まで短くし,ビームの輸送効率を改善することによって,同じレシピでウエハ1枚当たり10秒の処理が可能(当社比1/60),フットプリントは当社比1/3を達成した。
・「SOPHI-30」の他にも,高加速対応イオン注入装置「SOPHI-400」を開発した。
・この技術は,IGBT製作工程において工程時間の短縮,特性の改善に大いに貢献すると確信する。

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *IGBT ,  *生産性向上 ,  半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  電圧
準シソーラス用語： パワーデバイス

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 注目 ,  パワーデバイス ,  イオン注入装置 ,  特性改善