抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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・この度開発したパワーデバイス向け低加速・高濃度対応イオン注入装置「SOPHI-30」は,従来装置のデメリットを解消し,低加速・高濃度処理が当社比で1/60の時間で可能となり,枚葉処理のため極薄ウエハ割れの問題を払拭した。
・「SOPHI-30」は,ビームを輸送する距離を極限まで短くし,ビームの輸送効率を改善することによって,同じレシピでウエハ1枚当たり10秒の処理が可能(当社比1/60),フットプリントは当社比1/3を達成した。
・「SOPHI-30」の他にも,高加速対応イオン注入装置「SOPHI-400」を開発した。
・この技術は,IGBT製作工程において工程時間の短縮,特性の改善に大いに貢献すると確信する。