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J-GLOBAL ID:201702266356359960   整理番号:17A1501889

MWCVDおよびECRCVDにより堆積したSiC表面層のナノ構造と微細構造【Powered by NICT】

The nanostructure and microstructure of SiC surface layers deposited by MWCVD and ECRCVD
著者 (3件):
資料名:
巻: 425  ページ: 965-971  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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走査電子顕微鏡(SEM)と原子間力顕微鏡(A FM)を用いて,マイクロ波化学蒸着(MWCVD)-S1,S2層と電子サイクロトロン共鳴化学蒸着(ECRCVD)層S3,S4によるex-situ Si(100)上に蒸着したSiC層の表面トポグラフィーを調べるために用い,シラン,メタンおよび水素を使用している。ナノ構造と微細構造に及ぼす試料温度とガス流の影響を研究した。ナノ構造はディジタル画像処理に基づく三次元表面粗さ分析,表面特徴の異なる側面を定量化するためのツールを与えるによって記述された。表面トポグラフィーを記述するために用いた13種類の数値パラメータを用いた。層S1,S2,およびS4の微細構造の走査電子顕微鏡像(SEM)であったが,層S3は完全に異なる類似していた;結晶粒のような出現する。それにもかかわらず,粒界構造はA FM像には存在しないことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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酸化物薄膜 
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