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J-GLOBAL ID:201702266366289286   整理番号:17A0210425

非線形輸送効果と異常ホール効果との結合による低磁場での極めて大きな磁気抵抗

Extremely Large Magnetoresistance at Low Magnetic Field by Coupling the Nonlinear Transport Effect and the Anomalous Hall Effect
著者 (10件):
資料名:
巻: 28  号: 14  ページ: 2760-2764  発行年: 2016年04月13日 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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磁気材料の異常ホール効果は,単純な構造で半導体材料の非線形輸送効果に結合され,ダイオード支援機構に基づく大きな幾何学的磁気抵抗(MR)を達成する。MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgOの構造をもつパターン化された膜を,室温でのマグネトロンスパッタリングを用いて堆積した。低磁場(1mT)における極めて大きなMR(>104%)を,室温で観察した。このMRデバイスは,4つの基本的ブール論理演算のための論理ゲートとしての使用の可能性を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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その他の無機化合物の磁性 
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