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J-GLOBAL ID:201702266435768716   整理番号:17A1243994

ケステライト太陽電池の性能増強のための裏面接触工学【Powered by NICT】

Back Contact Engineering for Increased Performance in Kesterite Solar Cells
著者 (9件):
資料名:
巻:号: 15  ページ: null  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2778A  ISSN: 1614-6832  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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薄膜光起電力吸収体Cu_2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)は,太陽光の大規模変換電力にかなり有望である。CZTSSeは低毒性を示すことを地球に豊富に存在する元素から構成されるが,素子効率の改善は,少なくとも部分的に,不規則性誘起バンドテーリングに起因し,開回路電圧(V_OC)を増加させる困難により妨げられている。裏面接触の直接修飾によるV_OCを増大させる方法を示した提案アプローチでは,バックCZTSSe表面を明らかにするためにそれらのMo/ガラス基板から完全に機能デバイスの分離を含んでいる。高反射(Au)キャッピング層と共に,熱的に蒸着した高仕事関数材料(MoO_3)の新しい背面接触の形成は電子を駆動するフロントp-n接合に静電場を生成し,電子-正孔再結合の減少をもたらした。吸収材厚さをもつV_OCにおける増加を示したモデルシミュレーションは,様々な厚さ(0.7 2.0 μm)の素子を用いた実験から生まれたものである。CZTSSe表面を臭素-メタノールでエッチしたときは,厚さ1μmの吸収体のための49mVまでのV_OC増加を報告し, 61mVまでのより大きな増加を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (5件):
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