文献

J-GLOBAL ID：201702266439036080   整理番号：17A1273386

Al_2O_3におけるAlNの交互挿入によるAlNO/AlGaN/GaN MISダイオードのPEALD誘起界面工学【Powered by NICT】

PEALD induced interface engineering of AlNO/AlGaN/GaN MIS diode with alternate insertion of AlN in Al₂O₃

著者 (8件)： Wang Qian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Cheng Xinhong (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Zheng Li (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Shen Lingyang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Li Jingjie (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Zhang Dongliang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Qian Ru (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Yu Yuehui (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 215-218  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積したAl_2O_3はAlGaN/GaN MIS-HEMT構造で使用される工業的許容ゲート誘電体であるが,AlGaN/GaN上にAl_2O_3の直接堆積は,有害なGa-O結合の形成をもたらし,高密度界面トラップをもたらす。本研究では,AINOナノ膜を形成するAl_2O_3における代替AlN導入はゲート漏れ電流を抑制し,界面トラップ密度を減らすために提案した。添加では,窒素はカチオン/アニオンサイトかあるいは格子間位置に取込むことができ,このようにしてAl_2O_3内の負の固定電荷の発生源,フラットバンド電圧(V_fb)の正シフトに寄与するとなっている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  HEMT ,  *ダイオード ,  窒素 ,  *界面 ,  カチオン ,  ゲート絶縁膜 ,  アルミニウム ,  ナノシート
準シソーラス用語： フラットバンド電圧 ,  固定電荷 ,  ゲート漏れ電流 ,  ナノ薄膜 ,  界面トラップ ,  高密度 ,  *AlGaN/GaN ,  ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlN ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  ダイオード ,  誘起 ,  界面 ,  工学