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J-GLOBAL ID：201702266487151490   整理番号：17A0638518

高圧下における一成分系分子導電体におけるDirac電子系の出現

Emergence of the Dirac Electron System in a Single-Component Molecular Conductor under High Pressure

著者 (6件)： KATO Reizo (RIKEN, Saitama, JPN) ,  CUI HengBo (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TSUMURAYA Takao (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TSUMURAYA Takao (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  MIYAZAKI Tsuyoshi (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  SUZUMURA Yoshikazu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 139  号： 5  ページ： 1770-1773  発行年： 2017年02月08日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中性の単一成分の分子導電体[Pd(dddt) ₂](dddt=5,6-ジヒドロ-1,4-ジチイン-2,3-ジチオレート)が高圧下でDirac円錐を形成することを明らかにした。中性の[Pd(dddt)₂]はアセトンと酢酸中の[(n-Bu)₄][Pd(dddt)₂]のI₂による酸化によって単斜晶系の結晶として調製した。ダイヤモンドアンビルセル(DAC)を用いた高圧下での直流抵抗率の温度依存性(約0~300K)の測定を行った。圧力が高くなると抵抗率と活性化エネルギーが低下して,12.6GPaで抵抗率は全温度範囲で殆ど変化しなくなった。高圧下での結晶構造と電子構造を理解するためにDFT計算を行った。[Pd(dddt)₂]におけるディラック円錐の形成の機構をタイトバインディングモデルによって提示した。

シソーラス用語： *導体 ,  *一成分系 ,  *パラジウム錯体 ,  硫黄複素環化合物 ,  高圧 ,  *電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  *圧力効果 ,  単斜晶系 ,  電子状態 ,  結晶構造 ,  電子構造 ,  密度汎関数法 ,  Diracコーン ,  *直流比抵抗
準シソーラス用語： DFT計算 ,  Dirac円錐 ,  *直流抵抗率 ,  *分子導電体

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  白金族元素の錯体  (CE01100E)

物質索引 (1件)： 5,6-ジヒドロ-1,4-ジチイン-2,3-ジチオール

タイトルに関連する用語 (5件)： 高圧 ,  一成分系 ,  分子 ,  導電体 ,  Dirac電子系