文献

J-GLOBAL ID：201702266533940003   整理番号：17A1084764

高品質自己触媒型GaAsPナノワイヤの成長に及ぼす液滴サイズの影響

Influence of Droplet Size on the Growth of High-Quality Self-Catalyzed GaAsP Nanowires

著者 (10件)： ZHANG Yunyan (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  SANCHEZ Ana M. (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  AAGESEN Martin (Gasp Solar ApS, Taastrup, DNK) ,  SUN Yue (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WU Jiang (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  KIM Dongyoung (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  JURCZAK Pamela (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  HUO Suguo (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  XU Xiulai (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Huiyun (Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10114  ページ： 101140K.1-101140K.8  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ構造柱状GaAsPナノワイヤ(NWs)を用いて,液滴サイズが3元系NWsの成長速度に与える影響について調査した。380μm厚のp-ドープシリコン(111)基板上に,自己触媒三元系GaAsPNMsを固体源分子ビームエピタキシ法により成長させたサンプルを調製した。そのサンプルについて,SEMやTEMにより,液滴径とNW長,燐濃度との関係,結晶成長メカニズムや結晶成長速度との関係等を調べた。その結果,小液滴サイズの場合,結晶成長速度は遅くなり,燐濃度も大液滴サイズに比べて高くなる事がわかった。これは,Gibbs-Thomson(GT)効果の影響で,小液滴サイズほど,高い蒸気圧や低い過飽和度を持つためと考えられる。液滴サイズの注意深い制御により,均一なNWアレイの成長が可能となり,自己触媒III-V NW核生成および成長のメカニズムを理解するのに有用である。

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  *リン化物 ,  *ナノワイヤ ,  ナノ構造 ,  液滴径 ,  半導体材料 ,  金属薄膜 ,  過飽和 ,  化合物半導体 ,  熱電気変換 ,  ヒ化ガリウム ,  三元触媒 ,  *MBE成長 ,  自触媒作用 ,  ドーピング ,  リン化ガリウム
準シソーラス用語： III-V半導体 ,  Thomson効果 ,  *ヒ化リン化ガリウム ,  自己触媒

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高品質 ,  自己触媒 ,  GaAsP ,  ナノワイヤ ,  成長 ,  液滴サイズ