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J-GLOBAL ID：201702266535186978   整理番号：17A1923866

超低電力消費の低電圧全金属酸化物半導体基準電圧源【JST・京大機械翻訳】

A Low-Voltage All-Metal Oxide Semiconductor Voltage Reference with Ultra-Low Power

著者 (3件)： Wang Yuwei (西安交通大学微電子学院,710049,西安) ,  Zhang Hong (西安交通大学微電子学院,710049,西安) ,  Zhang Ruizhi (西安交通大学微電子学院,710049,西安)
資料名： Xi’an Jiaotong Daxue Xuebao  (Xi'an Jiaotong Daxue Xuebao)
巻： 51  号： 8  ページ： 47-52,76  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0363A  ISSN： 0253-987X  CODEN： HCTPDW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 従来のバンドギャップ基準電源の高電圧,高電力消費,および大きな面積の問題を解決するために,超低電力消費の低電圧全金属酸化物半導体(MOS)基準電圧源を提案した。この基準は,電圧クランプにより深いサブ閾値領域に動作し,サブスレショルド領域のMOSトランジスタの閾値電圧差を用いて熱電ポテンシャルの温度特性を補償し,負帰還を用いて電圧源の線形性と電源抑制比を向上させた。全体の電圧源回路をSMIC 0.18μm相補的金属酸化物半導体プロセスにより設計し,シミュレーション結果により以下のことを示した。基準電圧源の電源電圧範囲は0.5~3.3Vに達し、線形調整率は0.428%V-1で、消費電力は最低0.41nWであった。1.8Vの電源電圧と-40~125°Cの温度範囲で,温度係数は4.53×10-6°C-1であり,出力電圧は230mVであった。1kHzでの電源の抑制比は-60dBであり,チップのレイアウト面積は625μm2であった。この基準電圧源は,埋め込み医療,ウェアラブル装置,およびインターネットのようなシステムの低電圧低消費電力要求を満たすことができる。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  温度係数 ,  線形性 ,  *金属酸化物 ,  MOSFET ,  *電圧 ,  半導体プロセス ,  消費電力
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  閾値電圧 ,  サブ閾値 ,  *基準電圧 ,  *酸化物半導体 ,  *低電圧 ,  *超低消費電力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： voltage reference ,  ultra-low power ,  low voltage ,  all-metal oxide semiconductor ,  subthreshold

分類 (1件)： 電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電力消費 ,  低電圧 ,  金属酸化物半導体 ,  基準電圧