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J-GLOBAL ID：201702266596459685   整理番号：17A0801461

可視光通信用GaNベースフリップチップ並列マイクロLEDアレイ

GaN-based flip-chip parallel micro LED array for visible light communication

著者 (6件)： ZHU Shi-Chao (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHAO Li-Xia (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  YANG Chao (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  CAO Hai-Cheng (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  YU Zhi-Guo (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Lei (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10244  ページ： 102441Y.1-102441Y.7  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア/n-GaN/多重量子井戸アレイ/p-GaN/Siの積層構造から成る可視光通信用GaNベースフリップチップ(FC)並列マイクロLEDアレイを作製した。製造工程は一般的な広帯域LEDと同様に単純であり,FC構造は電流広がり,熱散逸及び電流密度耐性を改善し,7900A/cm²の注入電流密度と約227MHzの変調帯域幅及び30mW超の光電力を実現した。RC時定数とキャリア寿命の並列マイクロLEDアレイ変調帯域幅に及ぼす影響も検討した。

シソーラス用語： フリップチップ法 ,  *アレイ ,  多重量子井戸 ,  並列化 ,  光通信 ,  *窒化ガリウム ,  積層構造 ,  素子構造 ,  *発光ダイオード ,  電気特性 ,  時定数 ,  帯域幅 ,  キャリア寿命 ,  RC回路
準シソーラス用語： GaN ,  *LEDアレイ ,  可視光通信 ,  *可視光発光ダイオード ,  変調帯域幅

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 可視光通信 ,  GaN ,  フリップチップ ,  LEDアレイ