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J-GLOBAL ID：201702266680962793   整理番号：17A1250811

高過給応用のための集積化結合インダクタを用いた単一スイッチ非絶縁超ステップアップDC-DCコンバータ【Powered by NICT】

Single Switch Nonisolated Ultra-Step-Up DC-DC Converter With an Integrated Coupled Inductor for High Boost Applications

著者 (2件)： Siwakoti Yam P. (Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark) ,  Blaabjerg Frede (Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 32  号： 11  ページ： 8544-8558  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,非常に高い電圧利得と低減半導体電圧ストレスを持つ新しい単一スイッチ非絶縁型DC-DCコンバータを紹介した。極端なデューティサイクルを使用せずに非常に高い電圧利得を達成するために変換器は集積単巻変圧器と同じコア上の結合インダクタを利用した。受動無損失クランプ回路を結合した磁性体の漏れエネルギーをリサイクルし,主スイッチの電圧スパイクを軽減した。スイッチング素子に及ぼす低応力に沿ったこの形態において,設計者は低電圧および低R_DSに及ぼすMOSFET,スイッチの損失に対するコストだけでなく,伝導,を使用することを可能にする。手術,理論解析および比較いくつかの重要なシミュレーションと500Wプロトタイプの実験結果によって支持されの原理を提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スイッチング素子 ,  プロトタイプ ,  *変換器 ,  MOSFET ,  単巻変圧器 ,  電圧 ,  半導体 ,  クランプ回路 ,  *スイッチ
準シソーラス用語： 理論解析 ,  低電圧 ,  デューティサイクル ,  電圧ストレス ,  電圧利得 ,  *結合インダクタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高過給 ,  応用 ,  集積化 ,  結合インダクタ ,  絶縁 ,  DC-DCコンバータ