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J-GLOBAL ID：201702266733682824   整理番号：17A1388486

多層グラフェンシートの表面とエッジ上のZnOナノロッドの成長【Powered by NICT】

Growth of ZnO nanorods on the surface and edges of a multilayer graphene sheet

著者 (2件)： Hossein-Babaei Faramarz (Electronic Materials Laboratory, Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology, Tehran 16317-14191, Iran) ,  Akbari-Saatlu Mehdi (Electronic Materials Laboratory, Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology, Tehran 16317-14191, Iran)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 139  ページ： 77-82  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度に配向した熱分解グラファイト(HOPG)基板上にZnCl_2溶液の噴霧熱分解を調べ,多層グラフェンシートのエッジ上に対称的にファセット化したZnOナノロッドの成長を実証した。ウルツ鉱型ZnOとグラフェンの基底面とH OPG上の選択的酸素吸着の間の重大な格子不整合は,グラフェンエッジの優先核形成サイトである。多層グラフェンシートはその側面の両方に成長端核形成したZnO結晶を統合し,優れたグラフェン/ZnO電気接点をもたらした。基板温度,200 450°Cの範囲内で,ナノロッド形態を決定する最も影響力のあるパラメータである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱分解 ,  核形成 ,  対称性 ,  *ナノロッド ,  *グラフェン ,  結晶 ,  ファセット ,  高配向性熱分解グラファイト ,  電気接点 ,  *酸化亜鉛 ,  格子不整合 ,  基板温度
準シソーラス用語： 噴霧熱分解法 ,  *酸化亜鉛ナノロッド ,  *多層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二次元材料 ,  HOPG ,  グラフェン ,  ZnOナノロッド ,  噴霧熱分解

分類 (4件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  発光素子  (NC03082G) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多層グラフェン ,  エッジ ,  ZnOナノロッド ,  成長